NAND128W3A2BN6E是美光科技生产的一款128Mb（16M x 8位）并行接口NAND闪存芯片，采用48-TSOP封装。该器件提供50ns的快速页写入和访问时间，工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在宽电压和温度范围内的稳定数据存储性能。
其标准异步NAND接口便于与主流微控制器直接连接，简化了系统设计。作为非易失性存储器，它适用于需要可靠存储启动代码、应用程序或用户数据的各种嵌入式系统，如工业控制、网络通信和消费电子设备。
- 型号:NAND128W3A2BN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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