NAND04GW3C2BN6E是美光科技生产的一款4Gb（512M x 8位）并行接口NAND闪存芯片，采用48-TSOP封装。该器件提供25ns的快速页写入和访问时间，支持2.7V至3.6V的宽电压供电，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。
其标准的异步并联接口便于系统集成，适用于需要可靠、中等容量非易失数据存储的嵌入式应用。该芯片已停产，建议在选型时评估替代方案或为现有产品维护做好备件规划。
- 型号:NAND04GW3C2BN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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