NAND02GW3B2DZA6E是Micron Technology生产的一款2Gb容量并行接口NAND闪存芯片，采用63-TFBGA封装。该器件以256M x 8位的组织形式，提供了高效的数据存储解决方案。
其核心优势在于25ns的快速页写入与访问时间，以及2.7V至3.6V的宽电压供电范围，确保了高速数据操作与良好的电源兼容性。同时，其支持-40°C至85°C的工业级工作温度，满足严苛环境下的可靠性要求，适用于对性能和鲁棒性有较高标准的嵌入式系统。
- 型号:NAND02GW3B2DZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9.5x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:25ns
- 访问时间:25 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9.5x12）
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