NAND02GR3B2DZA6E

NAND02GR3B2DZA6E 是美光科技生产的一款2Gb（256M x 8）容量并行接口NAND闪存芯片，采用63-TFBGA封装。该器件基于非易失性闪存技术，提供可靠的数据存储解决方案，其核心特性包括45ns的快速页写入与访问时间，以及1.7V至1.95V的低工作电压范围，有助于实现高效能低功耗的系统设计。

该芯片支持并联存储器接口，无需外部时钟，通过直接控制实现数据操作。其工作温度范围覆盖-40°C至85°C，确保了在工业级及扩展商业环境下的稳定运行。该产品适用于表面贴装工艺，主要面向需要嵌入式代码存储或数据记录的应用，如工业控制、网络设备和消费电子等。请注意，该型号目前已处于停产状态。

• 型号:NAND02GR3B2DZA6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9.5x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:45ns
• 访问时间:45 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9.5x12）
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