MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR是美光科技生产的一款1Gb容量并行NOR闪存芯片，属于其汽车级（Automotive, AEC-Q100）产品系列。该器件采用56-TFSOP封装，提供表面贴装选项，其核心卖点在于为严苛环境设计的高可靠性。
该芯片支持128M x 8或64M x 16的灵活配置，访问时间为105ns，写入周期为60ns，确保了系统响应的及时性。其工作电压范围为2.7V至3.6V，并能在-40°C至105°C的宽温度范围内稳定运行，这些特性使其特别适用于对温度、可靠性和启动速度有严格要求的汽车电子及工业控制应用场景。
- 型号:MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:56-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 56TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8，64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:60ns
- 访问时间:105 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:56-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:56-TSOP
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