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MICRON
MT45W1MW16BAFB-706 WT的图片

MT45W1MW16BAFB-706 WT

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
原厂封装:产品封装:54-VFBGA
优势价格,MT45W1MW16BAFB-706 WT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT45W1MW16BAFB-706 WT的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT45W1MW16BAFB-706 WT 是美光科技生产的一款16Mb容量、1.8V低电压工作的伪静态随机存储器。该器件采用1M x 16位组织架构和标准的异步并行接口,访问时间与写周期时间均为70ns,提供了高速的数据读写能力。

其核心优势在于集成了DRAM存储单元与自动刷新逻辑,对外表现为无需外部刷新控制的SRAM,简化了电路设计。该芯片采用54-VFBGA小型封装,工作温度范围达-30°C至85°C,适用于对空间、功耗和可靠性有严格要求的嵌入式系统,如便携式设备、工业控制及通信模块中的数据缓冲应用。

  • 制造商产品型号:MT45W1MW16BAFB-706 WT
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:盒
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:PSRAM
  • 技术:PSRAM(伪 SRAM)
  • 存储容量:16Mb(1M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:70ns
  • 访问时间:70ns
  • 电压-供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:54-VFBGA
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