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MICRON
N25Q512A13GF840E的图片

N25Q512A13GF840E

美光(MICRON)图标
存储器芯片
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 512MBIT 108MHZ 8VDFN
原厂封装:8-VDFPN
优势价格,N25Q512A13GF840E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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N25Q512A13GF840E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

N25Q512A13GF840E是美光科技推出的一款512Mb容量、基于SPI串行接口的NOR闪存芯片。该器件采用108MHz高速时钟,支持单、双、四I/O模式及DDR读取,可实现高达54MB/s的数据吞吐率,满足快速代码执行(XiP)和高效数据访问的需求。

其工作电压为2.7V-3.6V,工作温度范围覆盖-40°C至85°C的工业标准,并采用8-VDFN紧凑型封装,确保了在空间受限和严苛环境下的可靠性与适用性。这些特性使其成为汽车电子、工业控制、网络通信及消费电子等领域中,对存储性能、可靠性和设计简洁性有较高要求的应用的理想选择。

  • Micron美光半导体完整型号:N25Q512A13GF840E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 512MBIT 108MHZ 8VDFN
  • 系列:-
  • 格式 - 存储器:闪存
  • 存储器类型:FLASH - NOR
  • 存储容量:512M(128Mx4)
  • 速度:108MHz
  • 接口:SPI 串行
  • 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:8-VDFPN(MLP8)(8x6)
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