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MICRON
MT9ASF51272AZ-2G1AZES的图片

MT9ASF51272AZ-2G1AZES

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR SDRAM
原厂封装:-
优势价格,MT9ASF51272AZ-2G1AZES的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT9ASF51272AZ-2G1AZES的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT9ASF51272AZ-2G1AZES是美光科技生产的一款4GB容量的DDR4 SDRAM内存模块。该模块严格遵循DDR4标准,其核心卖点在于提供了2133MT/s的高数据传输速率,能够显著提升系统在处理大规模数据时的吞吐性能。

同时,其4GB的单模块存储容量有助于在有限的主板空间内实现更高的内存总容量,满足数据中心、服务器等对内存密度要求苛刻的应用需求。该产品体现了DDR4技术在提升性能与降低功耗方面的平衡,适用于需要高带宽、高可靠性内存解决方案的企业级计算平台。

  • Micron美光半导体完整型号: MT9ASF51272AZ-2G1AZES
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 功能总体简述: MODULE DDR SDRAM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR 4 SDRAM
  • 存储容量: 4GB
  • 速度: 2133MT/s
  • 封装/外壳: -
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