MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR

MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。该器件基于非易失存储技术，核心卖点在于其1.8V低电压操作（范围1.7V-1.95V）与扩展的工业温度范围（-40°C至85°C），这为功耗敏感和需要在恶劣环境下稳定运行的嵌入式应用提供了可靠的数据存储解决方案。

其128M x 8位的组织架构提供了高效的字节级访问，而表面贴装的VFBGA封装则有利于实现紧凑的电路板设计。作为有源器件，它以卷带或剪切带形式供货，支持自动化生产。这款芯片平衡了容量、可靠性、功耗和封装尺寸，主要面向工业控制、网络设备、物联网终端及其他需要持久、稳定数据存储的电子系统。

• 型号:MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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