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MICRON
MT8VDDT6464HY-335F3的图片

MT8VDDT6464HY-335F3

美光(MICRON)图标
存储卡,模块 > 存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装:封装:
优势价格,MT8VDDT6464HY-335F3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8VDDT6464HY-335F3的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8VDDT6464HY-335F3是美光科技推出的一款512MB容量DDR SDRAM内存模块,采用紧凑的200-SODIMM封装形式。该模块的数据传输速率达到333MT/s,基于DDR同步架构,能够在时钟周期的上升沿和下降沿都进行数据传输,有效提升了内存带宽,满足了对数据吞吐有持续要求的嵌入式应用。

其核心参数表明,该模块适用于空间受限且需要标准内存解决方案的设备。标准的接口和时序参数使其能够兼容众多支持DDR SODIMM规格的主板与平台,主要面向工业控制、网络通信、便携式计算等领域的系统集成与设备维护,是一款注重兼容性、稳定性和标准化的存储组件。

  • 型号:MT8VDDT6464HY-335F3
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:
  • 类目:存储卡,模块 > 存储器 - 模块
  • 描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列:-
  • 包装:盒
  • 产品状态:停产
  • 存储器类型:DDR SDRAM
  • 存储容量:512MB
  • 传输速率(Mb/s,MT/s,MHz):333
  • 封装/外壳:200-SODIMM
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