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MICRON
MT8VDDT6464HY-335F2的图片

MT8VDDT6464HY-335F2

美光(MICRON)图标
存储卡,模块 > 存储器 - 模块
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装:封装:
优势价格,MT8VDDT6464HY-335F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8VDDT6464HY-335F2的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8VDDT6464HY-335F2是美光科技推出的一款512MB容量DDR SDRAM内存模块,采用标准的200针SODIMM封装。该模块的数据传输速率达到333MT/s,基于双倍数据速率技术,能在每个时钟周期内完成两次数据传输,有效提升了内存子系统的带宽。

其512MB的存储容量适用于需要中等内存资源的计算平台,而SODIMM的小型化封装设计使其主要面向空间受限的嵌入式系统、工业电脑以及特定型号的笔记本电脑。该模块严格遵循行业标准,提供了与主流芯片组兼容的稳定性能,是构建或升级紧凑型电子设备内存系统的典型解决方案。

  • 型号:MT8VDDT6464HY-335F2
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:
  • 类目:存储卡,模块 > 存储器 - 模块
  • 描述:MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 存储器类型:DDR SDRAM
  • 存储容量:512MB
  • 传输速率(Mb/s,MT/s,MHz):333
  • 封装/外壳:200-SODIMM
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