M58LT256KSB7ZA6E是美光科技推出的一款256Mb(16M x 16)并行NOR闪存芯片,采用FLASH - NOR技术,提供非易失性数据存储。其核心优势在于70ns的快速访问与写入时间以及高达52MHz的工作频率,确保了处理器能高效执行代码。
该器件在1.7V至2.0V的低电压下工作,并具备-40°C至85°C的工业级温度范围,适合对功耗和可靠性要求严苛的应用。其64-TBGA封装和并联接口设计,便于集成到需要高速、可靠固件存储的嵌入式系统中。
- 制造商产品型号:M58LT256KSB7ZA6E
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64TBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:托盘
- 系列:-
- 零件状态:停产
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb(16M x 16)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:52MHz
- 写周期时间-字,页:70ns
- 访问时间:70ns
- 电压-供电:1.7V ~ 2V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:64-TBGA
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