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| MT54V512H18EF-10的报价和技术资料 - 美光(MICRON)授权中国代理商 |
MT54V512H18EF-10的图片

MT54V512H18EF-10

美光(MICRON)图标
集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
制造厂商：美光(MICRON)
功能简述：IC SRAM 9MBIT PAR 165FBGA
原厂封装：封装:165-FBGA（13x15）
优势价格，MT54V512H18EF-10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT54V512H18EF-10的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供
  • 型号:MT54V512H18EF-10
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:165-FBGA（13x15）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC SRAM 9MBIT PAR 165FBGA
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:SRAM
  • 技术:SRAM - 四端口，同步
  • 存储容量:9Mb
  • 存储器组织:512K x 18
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:100 MHz
  • 写周期时间 - 字，页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.4V ~ 2.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:165-TBGA
  • 供应商器件封装:165-FBGA（13x15）
  • 想获取MT54V512H18EF-10的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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