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MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR的图片

MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
原厂封装:封装:200-VFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR是美光科技推出的一款24Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM,采用768M x 32的组织结构。该器件运行时钟频率高达2.133GHz,可提供极高的数据传输带宽,同时其1.1V核心电压与0.6V I/O电压的设计兼顾了性能与能效。

作为通过AEC-Q100认证的车规级产品,该芯片支持-40°C至105°C的宽工作温度范围,确保了在汽车电子等恶劣环境下的高可靠性。其采用200-VFBGA小型化封装,以卷带形式供货,非常适合对空间、功耗和可靠性有严苛要求的车载计算、高级辅助驾驶及工业嵌入式应用。

  • 型号:MT53E768M32D4DT-046 AAT:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-VFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 24GBIT 2.133GHZ 200VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:24Gb
  • 存储器组织:768M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-VFBGA
  • 供应商器件封装:200-VFBGA(10x14.5)
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