美光代理商
渠道,美光芯片一站式采购平台
美光(MICRON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
首页
MICRON美光
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B
的报价和技术资料 - 美光(MICRON)授权中国代理商 |
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:
美光(MICRON)
功能简述:
IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA
原厂封装:
封装:376-WFBGA(14x14)
优势价格,MT53E512M64D2NZ-46 WT:B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B的技术资料下载
MT53E512M64D2NZ-46 WT:B的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供
型号:MT53E512M64D2NZ-46 WT:B
品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
封装:376-WFBGA(14x14)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 32GBIT PAR 376WFBGA
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
存储容量:32Gb
存储器组织:512M x 64
存储器接口:并联
时钟频率:2.133 GHz
写周期时间 - 字,页:18ns
访问时间:3.5 ns
电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V
工作温度:-25°C ~ 85°C(TC)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:376-WFBGA
供应商器件封装:376-WFBGA(14x14)
想获取MT53E512M64D2NZ-46 WT:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多美光(MICRON)芯片的报价及技术资料
MT29F16G08ABECBM72A3WC1 TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR
存储器
N25Q128A11ESE40F
存储器芯片
MT9VDDT6472AG-40BD1
存储器 - 模块
MT18HTF25672AY-40EA1
存储器 - 模块
MT29F1G16ABBEAH4:E
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
MT49H32M18CSJ-25E:B TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
MT48LC32M8A2P-7E:G
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
JS28F064M29EWLB TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
MT29F64G08ABEBBH6-12:B
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
PC48F4400P0VB00B TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
MTFC64GASAONS-IT TR
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
美光芯片代理
的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格
美光公司(MICRON)授权的国内
美光代理商
一手货源,大小批量出货
美光(MICRON)中国代理商