MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E是美光科技推出的一款64Gb容量、采用移动LPDDR4技术的DRAM芯片。该器件以2133MHz的时钟频率运行，提供高达17GB/s的数据带宽，能够高效处理大量数据流，满足现代高性能移动计算的需求。

其核心优势在于实现了高带宽与低功耗的平衡。芯片工作在1.1V低电压下，并集成了一系列高级电源管理功能，显著优化了能效，特别适合电池供电的便携式设备。采用376-WFBGA紧凑型封装，支持-30°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在空间受限及环境多变的嵌入式应用中的可靠性与适用性。

• 制造商产品型号：MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 64GBIT 2133MHZ 376WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：64Gb（1G x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：376-WFBGA
• 想获取MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料