MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量、采用移动LPDDR4技术的SDRAM。该器件以256M x 32的组织形式，提供了高达2133MHz（数据速率4266MT/s）的运行速度，能够满足现代移动和嵌入式应用对高内存带宽的迫切需求。
其核心卖点在于卓越的能效比，通过0.6V和1.1V的双电压供电以及一系列高级电源管理状态，在提供高性能的同时显著降低了功耗。器件采用200-WFBGA封装，支持-40°C至95°C的工业级工作温度范围，确保了在各类环境下的可靠性与稳定性，适用于对空间、功耗和性能均有严格要求的尖端电子产品。
- 型号:MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:256M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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