M28W640HCT70ZB6E

M28W640HCT70ZB6E 是美光科技推出的一款 64Mb 并行 NOR 闪存，采用 4M x 16 位的架构和 48-TFBGA 封装。该器件提供 70ns 的快速访问与写入时间，支持处理器直接从闪存执行代码，显著提升系统启动和实时应用的性能。

其工作电压范围为 2.7V 至 3.6V，并具备 -40°C 至 85°C 的宽温工作能力，满足工业级环境对可靠性的严苛要求。作为一款非易失性存储器，它适用于需要稳定存储固件、引导程序和关键数据的嵌入式系统。

• 型号:M28W640HCT70ZB6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6.39x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:64Mbit
• 存储器组织:4M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6.39x10.5）
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