MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F是美光科技生产的一款集成4Gb NAND Flash与2Gb LPDDR2 DRAM的复合存储器芯片。它采用162-VFBGA封装和并联接口，在单颗芯片上实现了非易失性存储与高速缓存的融合，为核心系统提供了高效的数据处理与存储方案。

该器件在1.8V电压下工作，LPDDR2 DRAM部分支持高达533MHz的时钟频率，有效提升了数据访问速度。其工作温度范围为-25°C至85°C，适用于对可靠性和性能有较高要求的宽温环境应用。此型号目前已停产，主要服务于既有产品线的维护与特定长期项目。

• 型号:MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:162-VFBGA（10.5x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:128M x 32（NAND），64M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:162-VFBGA
• 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
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