MT49H16M18BM-5:B是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片，采用16M x 18的组织结构。该器件以200MHz的时钟频率和20ns的访问时间提供高速数据读写能力，其并行接口设计优化了数据吞吐效率。
芯片采用1.8V左右的核心电压供电，功耗控制良好，并能在0°C至95°C的宽温度范围内稳定工作。其144-TFBGA表面贴装封装形式适合空间紧凑的嵌入式应用设计。该器件适用于对带宽和实时性有较高要求的网络、工业控制及图像处理系统。
- 型号:MT49H16M18BM-5:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:16M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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