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MICRON
MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR的图片

MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 556VFBGA
原厂封装:封装:556-VFBGA(12.4x12.4)
优势价格,MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR是美光科技生产的一款48Gb容量、1866MHz时钟频率的Mobile LPDDR4 SDRAM芯片。该器件采用768M x 64的组织架构,以紧凑的556-VFBGA封装形式提供,工作电压为1.1V,专为追求高带宽与低功耗的移动及嵌入式应用而设计。

其核心卖点在于实现了高性能与能效的优化结合。1866MHz的运行频率确保了高速数据访问能力,而LPDDR4技术内置的多种省电模式则显著降低了系统整体功耗。此外,其支持-30°C至85°C的宽工作温度范围,增强了在苛刻环境下的适用性,适用于从消费电子到汽车、工业等多元化的高可靠性应用场景。

  • 型号:MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:556-VFBGA(12.4x12.4)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 48GBIT 1.866GHZ 556VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:48Gb
  • 存储器组织:768M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:556-VFBGA
  • 供应商器件封装:556-VFBGA(12.4x12.4)
  • 想获取MT53D768M64D8SQ-053 WT ES:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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