MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR是美光科技生产的一款有源LPDDR4 DRAM芯片，采用WFBGA封装并以卷带形式供货，属于其核心存储器产品系列。该器件专为满足现代移动和嵌入式系统对高速数据存取与极致能效的需求而设计。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗的平衡，通过优化的接口与封装技术，为空间紧凑的设备提供可靠的大容量内存解决方案。该芯片适用于要求持续高性能和低能耗运行的各类先进电子设备。

• 型号:MT53E256M16D1DS-046 AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:256M x 16
• 存储器接口:-
• 时钟频率:2.133 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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