MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR是美光科技生产的一款32Gb容量、高速移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用512M x 64的组织结构，在2133MHz的时钟频率下运行，可实现高达4266MT/s的数据传输速率，为应用提供卓越的内存带宽。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗的融合。工作电压低至1.1V，并具备多种电源管理状态，显著优化了系统级能效。产品采用376球WFBGA小型化封装，支持表面贴装，工作温度范围宽达-30°C至85°C，专为满足空间紧凑、环境要求严苛的现代移动和嵌入式设备而设计。

• 制造商产品型号：MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 376WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：376-WFBGA
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