MT41J256M4HX-15E:D TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM存储器。该器件采用256M x 4的位宽配置，基于并联接口，在667MHz的时钟频率下可实现高达1333 MT/s的数据传输速率，为系统提供高效的数据吞吐能力。
其核心特性包括标准1.5V供电电压（工作范围1.425V~1.575V），以及0°C至95°C的宽工作温度范围，确保了在多种应用环境下的稳定运行。器件采用78-FBGA表面贴装封装，符合卷带包装规格，便于自动化生产。作为一款成熟的DDR3解决方案，它适用于需要可靠、中等性能内存子系统的各类嵌入式与网络应用。
- 型号:MT41J256M4HX-15E:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:256M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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