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MICRON
MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR的图片

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA
原厂封装:封装:-
优势价格,MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR 是美光科技生产的一款32Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该芯片采用512M x 64位的存储结构,运行时钟频率为2133MHz,能够提供极高的数据带宽,满足现代移动设备对高速数据处理的性能要求。

其核心优势在于高性能与低功耗的结合,工作电压仅为1.1V,并支持-30°C至105°C的宽工作温度范围,确保了在严苛环境下的稳定运行。该器件采用FBGA封装,以卷带形式供货,主要面向对能效和可靠性有高标准的高端移动计算、车载电子及工业应用场景。

  • 型号:MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:-
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:512M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:-
  • 供应商器件封装:-
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