MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR是一款由美光科技制造的8Gb容量移动LPDDR SDRAM。它采用256M x 32位的并行架构，提供宽数据通路，时钟频率为200MHz，访问时间低至5ns，能够满足高速数据处理的带宽需求。
该器件核心优势在于其低功耗设计，工作电压范围为1.7V至1.95V，非常适合对能效要求苛刻的便携式电子设备。其采用168-VFBGA小型化封装，支持表面贴装，便于在紧凑的电路板空间内实现高密度集成。工作温度范围为-25°C至85°C，确保了在多种环境条件下的稳定运行。
- 型号:MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:168-VFBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:256M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:168-VFBGA
- 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
- 想获取MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
