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MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR的图片

MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
原厂封装:产品封装:200-WFBGA
优势价格,MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR是一款由美光科技制造的16Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用512M x 32的组织结构,在1.1V的低工作电压下,其时钟频率可达2133MHz,实现了高带宽与低功耗的平衡,专为满足现代移动和嵌入式设备对内存性能与能效的严苛要求而设计。

该芯片采用200-WFBGA小型化封装,支持表面贴装,并具备-40°C至105°C的宽工作温度范围。这些特性使其不仅适用于智能手机、平板电脑等消费电子领域,也能满足车载系统、工业控制等环境条件更复杂的应用场景对可靠性和稳定性的需求。

  • 制造商产品型号:MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 2133MHZ 200WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb(512M x 32)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:200-WFBGA
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