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MICRON
MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR的图片

MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR是美光科技生产的一款16Gb容量、采用移动LPDDR4标准的SDRAM芯片。该器件采用512M x 32的组织结构,在2.133GHz的高时钟频率下运行,能够为系统提供极高的数据传输带宽,满足现代移动计算平台对内存性能的需求。

其设计核心在于实现高性能与低功耗的优化平衡。芯片采用0.6V和1.1V的双电压供电,显著降低了运行功耗,同时其宽泛的-30°C至85°C工作温度范围确保了在各种环境下的稳定运行。器件采用200-WFBGA紧凑型封装,以表面贴装形式为主,非常适合空间受限的移动及嵌入式设备的设计集成。

  • 型号:MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:16Gb
  • 存储器组织:512M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 想获取MT53D512M32D2DS-046 WT:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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