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MICRON
MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR的图片

MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR是美光科技推出的一款符合AEC-Q100标准的车规级8Gb Mobile LPDDR4 SDRAM。该器件采用512M x 16的存储结构,运行时钟频率高达2.133GHz,为汽车电子应用提供了高带宽的数据通道,能够满足高级驾驶辅助系统(ADAS)和车载信息娱乐系统对高速数据读写的需求。

该芯片设计用于应对严苛的汽车环境,其工作温度范围为-40°C至105°C(TC),确保了在极端温度下的可靠运行。它采用200-ball WFBGA表面贴装封装,具有紧凑的尺寸和良好的机械特性,适合空间受限的汽车电子模块。作为卷带包装的易失性存储器,它兼顾了高性能、高可靠性以及自动化生产的需求,是下一代智能汽车核心计算单元的内存解决方案。

  • 型号:MT53D512M16D1DS-046 AAT:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:512M x 16
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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