MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR是美光科技生产的一款并行接口NAND闪存芯片，提供高达384Gb（48G x 8）的非易失性存储容量。该器件采用132-VBGA封装，支持表面贴装，其并联接口在333MHz时钟频率下运行，旨在实现高速数据访问，工作电压范围为2.5V至3.6V。
该芯片的核心优势在于其高密度存储与并行数据传输架构的结合，适用于对带宽和容量有较高要求的场景。其设计符合商业温度范围（0°C至70°C），主要面向企业级存储、数据中心基础设施及其他需要可靠、大容量闪存解决方案的电子系统。
- 型号:MT29E384G08EBHBBJ4-3:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:384Gb
- 存储器组织:48G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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