MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR

MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR是美光科技（Micron Technology）生产的一款16Gb容量、采用Mobile LPDDR4技术的易失性存储器（DRAM）。该芯片采用256M x 64的存储结构，在2133MHz的高时钟频率下运行，能够为系统提供高速的数据带宽，满足现代移动和嵌入式应用对性能的苛刻要求。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗的平衡，工作电压仅为1.1V，并支持-30°C至105°C（TC）的宽工作温度范围。这些特性使其成为对能效和可靠性有严格要求的应用的理想选择，例如高端移动设备、汽车电子以及工业控制系统。

• 制造商产品型号：MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 2133MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（256M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：2133MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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