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MICRON
MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR的图片

MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 556VFBGA
原厂封装:封装:556-VFBGA(12.4x12.4)
优势价格,MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR是美光科技生产的一款64Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM,采用1G x 64位架构,时钟频率达1866MHz。该芯片以1.1V低电压供电,结合556-VFBGA表面贴装封装,专为高性能移动和嵌入式应用设计,在-30°C至85°C温度范围内确保稳定运行。

其核心优势在于平衡了高速数据吞吐与功耗效率,支持双通道操作,适用于需要大带宽内存的便携式设备。尽管目前已停产,但该型号仍可作为低功耗存储解决方案的参考,适用于智能手机、平板及物联网硬件等场景。

  • 型号:MT53D1G64D8SQ-053 WT ES:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:556-VFBGA(12.4x12.4)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 64GBIT 1.866GHZ 556VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:64Gb
  • 存储器组织:1G x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:556-VFBGA
  • 供应商器件封装:556-VFBGA(12.4x12.4)
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