MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D TR

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D TR是美光科技推出的一款32Gb容量、基于Mobile LPDDR4技术的高性能易失性存储器（DRAM）。该芯片采用512M x 64的组织结构，在1.1V的低工作电压下，其时钟频率可达1600MHz，实现了高带宽与低功耗的出色结合，专为满足现代移动和嵌入式设备的严苛需求而设计。

其核心优势在于提供了卓越的数据吞吐能力，同时通过LPDDR4标准的先进电源管理特性有效控制能耗。器件支持-30°C至85°C的宽工作温度范围，并采用FBGA封装以卷带形式供货，确保了在空间受限及环境多变的工业与消费类应用中的高可靠性和易生产性。这款有源状态的存储器是追求高性能计算与长效续航平衡的系统的关键组件。

• 制造商产品型号：MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 32GBIT 1600MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：32Gb（512M x 64）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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