MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR是美光科技生产的一款16Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该芯片采用512M x 32位的组织架构，在1.1V工作电压下运行，核心时钟频率达1600MHz，可实现3200MT/s的数据传输速率，为移动平台提供高带宽、低延迟的内存解决方案。
其设计专注于能效与集成度，采用200球WFBGA小型化封装，支持表面贴装，适用于空间紧凑的便携式设备。工作温度范围宽达-30°C至85°C，确保了在多样化环境下的稳定操作。此型号作为工程样品，主要服务于前期硬件设计与验证阶段。
- 型号:MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（11x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 16GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:512M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（11x14.5）
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