MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR

MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR是美光科技生产的一款6Gb容量、基于LPDDR4技术的移动DRAM芯片。该器件采用384M x 16的组织结构，运行时钟频率为1600MHz，在双倍数据率下可实现高达3200MT/s的数据传输速率，为应用处理器提供了高带宽的内存访问能力。

其核心优势在于实现了性能与功耗的优化平衡。工作电压低至1.1V，显著降低了动态功耗，并支持多种高级电源管理状态，非常适合对能效要求极高的移动和嵌入式设备。该芯片采用FBGA封装，工作温度范围为-30°C至85°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。

• 制造商产品型号：MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 6GBIT 1600MHZ FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：6Gb（384M x 16）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1600MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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