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MICRON
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR的图片

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR是美光科技推出的一款8Gb容量LPDDR4移动SDRAM,采用256M x 32位组织架构。该器件运行时钟频率高达1600MHz,可提供出色的数据传输带宽,满足现代移动设备对高速内存访问的需求。

其核心优势在于1.1V的低工作电压,显著优化了功耗表现,同时支持-40°C至105°C的宽工业温度范围,确保了在各种环境条件下的稳定运行。芯片采用200-WFBGA小型化封装,以卷带形式供货,专为空间受限、要求高可靠性的表面贴装应用而设计。

  • 型号:MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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