MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR

MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR是美光科技推出的一款2Gb容量移动低功耗DDR SDRAM，采用64M x 32位的组织架构和并行接口。该器件基于LPDDR技术，核心优势在于其1.7V至1.95V的低工作电压范围和200MHz的时钟频率，在提供必要带宽的同时，显著优化了功耗表现，专为对能效有严格要求的嵌入式应用而设计。

其关键性能参数包括5ns的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了数据读写的响应速度。芯片采用90-VFBGA小型化封装，支持表面贴装，工作温度范围宽达-25°C至85°C，适合空间受限且环境多样的应用场景。这款器件为早期的便携式及电池供电设备提供了可靠的内存解决方案。

• 制造商产品型号：MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - 移动 LPDDR
• 存储容量：2Gb（64M x 32）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：5ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-25°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：90-VFBGA
• 想获取MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料