MT49H8M36SJ-25E:B

MT49H8M36SJ-25E:B是美光科技生产的一款288Mb容量、并行接口的DRAM芯片，采用8M x 36的组织架构。该器件工作时钟频率为400MHz，访问时间为15ns，能够在1.7V至1.9V的低电压下运行，实现了高性能与低功耗的平衡。

其144-TFBGA表面贴装封装适用于高密度PCB设计，工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这款有源状态的存储器适用于需要高带宽数据缓冲和快速读写的各类电子系统。

• 型号:MT49H8M36SJ-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:288Mb
• 存储器组织:8M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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