MT47H256M8THN-25E IT:H是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM存储器芯片，采用256M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率达400MHz，实现了高速数据传输，其1.7V~1.9V的低工作电压有助于降低系统整体功耗。
芯片采用63-TFBGA表面贴装封装，支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，具备良好的环境适应性。其关键时序参数包括400ps的访问时间和15ns的写周期时间，确保了在数据读写操作中的快速响应能力，适用于要求稳定性和性能的各类嵌入式存储解决方案。
- 型号:MT47H256M8THN-25E IT:H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
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