MT49H8M36FM-25:B TR是美光科技(Micron Technology)推出的一款有源、易失性DRAM存储器,采用并行接口,总存储容量为288Mb,组织架构为8M x 36位。该器件封装于紧凑的144-TFBGA中,以卷带形式供货,适用于表面贴装工艺。
其核心性能优势在于高达400MHz的时钟频率与20ns的访问时间,能够提供高速的数据吞吐与低延迟响应。工作电压范围为1.7V至1.9V,支持低功耗运行,同时其工作温度范围(0°C至95°C)确保了在宽温环境下的稳定性和可靠性,适合要求严苛的工业与通信应用。
- 制造商产品型号:MT49H8M36FM-25:B TR
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:卷带(TR)
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb(8M x 36)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400MHz
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:20ns
- 电压-供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:144-TFBGA
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