MT49H8M36BM-33 IT:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM。该器件采用8M x 36的组织结构，提供36位宽数据总线，支持高达300MHz的时钟频率，能够实现高带宽的数据传输，其20ns的访问时间确保了快速响应。
该芯片工作电压范围为1.7V至1.9V，功耗控制良好，并具备-40°C至85°C的宽工作温度范围，适用于工业级环境。产品采用144-TFBGA表面贴装封装，以卷带形式供货，便于自动化生产。其设计旨在满足网络、工业控制及通信设备中对高速、可靠缓冲存储的需求。
- 型号:MT49H8M36BM-33 IT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:8M x 36
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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