MT49H64M9FM-25E:B是美光科技生产的一款576Mb容量、并行接口的DDR SDRAM芯片。其核心组织架构为64M x 9位，采用先进的DDR技术，在400MHz的时钟频率下可实现每数据引脚800Mbps的高速数据传输速率，显著提升了系统内存带宽。
该器件工作电压范围为1.7V至1.9V，典型访问时间为15ns，确保了快速的数据响应能力。它采用144-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），适合要求严苛的工业级嵌入式应用环境。其9位数据宽度（包含1位校验位）为需要数据完整性保障的系统提供了支持。
- 型号:MT49H64M9FM-25E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:64M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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