MT49H64M9FM-25:B是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用64M x 9位架构。该器件封装于144-TFBGA中，采用表面贴装形式，便于集成。
其核心性能参数包括高达400MHz的时钟频率与20ns的访问时间，确保了高速数据吞吐能力。工作电压范围为1.7V至1.9V，有助于实现低功耗运行，而0°C至95°C（TC）的工作温度范围则保障了其在严苛环境下的可靠性。这些特性使其适用于对存储带宽和稳定性有较高要求的电子系统。
- 型号:MT49H64M9FM-25:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:64M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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