MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR是美光科技生产的一款多芯片封装（MCP）存储器，将4Gb NAND闪存与2Gb LPDDR2 DRAM集成于单个162-VFBGA封装中。该器件采用1.8V供电，支持-40°C至85°C的工业级工作温度，并通过并联接口进行数据访问。
其核心价值在于提供了非易失性存储与高速易失性缓存的单芯片解决方案。4Gb NAND闪存（128M x 32）适用于主数据存储，而时钟频率达533MHz的2Gb LPDDR2 DRAM（64M x 32）可作为高效的工作内存或缓存，显著提升数据吞吐和处理速度。这种集成设计有助于简化PCB布局，减少空间占用，适用于对尺寸和性能有严格要求的嵌入式应用。
- 型号:MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（10.5x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:128M x 32（NAND），64M x 32（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
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