MT49H32M9FM-33:B 是美光科技推出的一款 288Mb 容量并行 DRAM 芯片，采用 32M x 9 的组织架构。该器件在 1.8V 典型电压下工作，提供高达 300MHz 的运行频率和 20ns 的快速访问时间，旨在满足对数据吞吐速率和响应性能有较高要求的嵌入式内存应用。
其核心特性包括支持奇偶校验的 9 位数据宽度、并联接口以及 144-TFBGA 紧凑型封装，适用于表面贴装工艺。该芯片设计用于在 0°C 至 95°C 的温度范围内稳定工作，为网络、工业控制及通信设备中的高速数据缓冲和存储提供了可靠的解决方案。
- 型号:MT49H32M9FM-33:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:32M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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