MT49H32M18FM-33:B TR是美光科技推出的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用32M x 18的存储结构。该器件以300MHz的时钟频率和20ns的访问时间为核心卖点，提供了高速的数据读写能力，能够显著提升系统的实时数据处理性能。
其工作电压范围为1.7V至1.9V，有助于实现较低的功耗表现，并采用144-TFBGA封装，具备良好的集成度与散热特性。该芯片适用于对存储带宽和响应速度有较高要求的工业控制、网络通信及数据处理等领域，是构建高效能嵌入式存储解决方案的关键器件。
- 型号:MT49H32M18FM-33:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:32M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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