MT47H128M16RT-25E AAT:C TR是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用128M x 16位的并行架构。该器件以400MHz的时钟频率运行，实现高达800MT/s的数据传输速率，其400ps的快速访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据处理能力。
该芯片工作电压为1.8V（±0.1V），在功耗与性能间取得良好平衡。其显著特点是支持-40°C至105°C的扩展工业级温度范围，并采用84-TFBGA表面贴装封装，具备出色的环境适应性和可靠性，适用于要求严苛的嵌入式与工业应用。
- 型号:MT47H128M16RT-25E AAT:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（9x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（9x12.5）
- 想获取MT47H128M16RT-25E AAT:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
