MT49H32M18CSJ-18:B

MT49H32M18CSJ-18:B 是一款由美光科技制造的576Mb容量并行接口DRAM存储器。其核心架构采用32M x 18位的组织方式，通过533MHz的高时钟频率和并联接口实现高速数据吞吐，访问时间低至15ns，能够满足对时序要求严格的应用需求。

该器件在1.7V至1.9V的低电压下工作，有助于实现能效优化。其采用144-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），提供了在紧凑空间内实现可靠高速存储的解决方案，适用于各类嵌入式系统和网络设备。

• 型号:MT49H32M18CSJ-18:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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