MT45W4MW16BCGB-701 WT TR是美光科技推出的一款64Mb容量PSRAM芯片，采用4M x 16位并联架构。该器件提供了70ns的快速访问与写入时间，工作电压范围为1.7V至1.95V，支持低功耗操作。
其PSRAM（伪静态随机存取存储器）技术集成了DRAM存储单元与内部刷新控制器，在提供类似SRAM的简易接口和无须外部刷新逻辑的同时，实现了更高的存储密度。该芯片采用54-VFBGA表面贴装封装，工作温度范围为-30°C至85°C，适用于对空间和温度有要求的工业及消费类嵌入式系统。
- 型号:MT45W4MW16BCGB-701 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（6x8）
- 想获取MT45W4MW16BCGB-701 WT TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
