MT49H32M18CBM-18:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM，采用32M x 18位架构，时钟频率达533MHz，访问时间为15ns，提供高带宽数据吞吐能力。其工作电压范围为1.7V至1.9V，支持低功耗运行，并采用144-TFBGA封装，适用于表面贴装工艺。
该器件设计用于要求快速数据访问和可靠性的应用，如网络设备、工业控制及嵌入式系统。其并联接口和宽温工作特性（0°C至95°C）确保了在严苛环境下的稳定性能，适合集成到空间受限的PCB布局中。
- 型号:MT49H32M18CBM-18:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:32M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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